三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产|英伟达|hbm|知名企业 📰 谷德专业资讯网 ⏰ 2026-04-17 17:54 👁 47070 阅读 《科创板日报》17日讯，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露，三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。 (ChosunBiz) 本文标签： 科技芯片人工智能