存储三巨头押注DRAM新技术 或打开两类接口芯片空间|服务器|英特尔|cpu|dram|知名企业|高带宽内存

《科创板日报》5月6日讯 据ZDNet报道，服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”已经进入最后开发阶段，联合电子设备工程委员会（JEDEC）的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司正在积极开发MRDIMM产品，以满足未来不断增长的需求。

有别于HBM与GPU集成，MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块，其专为人工智能和高性能计算（HPC）任务而优化， 能够同时运行两个内存通道，因此可提供更快的数据处理速度。

资料显示，相较于标准DDR5 RDIMM，第一子代MRDIMM可达到8800MT/s的数据传输速率，峰值带宽提高近40%，缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。

由于MRDIMM是内存行业的最新技术，因此尚未标准化或商业化，而仅只有少数型号的CPU支持MRDIMM，如英特尔的“至强6”。联想技术产品指南则强调，采用下一代CPU的服务器设计人员越来越多地转向使用MRDIMM来缓解日益严重的内存带宽瓶颈。

值得一提的是，美国内存巨头美光早在2024年即开始提供MRDIMM 样品，其技术基于 DDR5 物理和电气标准，在内存性能方面实现了重大进步。

广发证券认为，随着CPU配比不断提升，X86-CPU配置的内存形态有望从传统RDIMM逐步向MRDIMM方案演进，需引入更复杂的接口芯片，推动配套芯片ASP提升。插满率提升叠加MRDIMM渗透，共同打开内存条与接口芯片空间。

财通证券指出，MRDIMM核心增量为MRCD和MDB芯片。在DDR5世代，MRDIMM内存条采用“1+10”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器MRCD以及10颗数据缓冲器MDB。MRDIMM已适配英特尔第六代CPU，同时，内存厂商美光、SK海力士、威刚均已推出MRDIMM的新颖产品，仍有较大渗透空间。

该机构表示，假设2030年MRDIMM在悲观、中性、乐观假设下的渗透率分别为30%/50%/65%，MRCD的需求量有望分别为2.74/4.56/5.93亿个，MDB的需求量有望分别为27.36/45.60/59.28亿个。随着英特尔第六代CPU、MRDIMM技术持续渗透，有望持续拉动MRCD和MDB的需求量。