三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产|海力士|hpb|hbm5

《科创板日报》6月2日讯 在今日举行的Computex 2026电脑展上，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。

据《朝鲜日报》等韩媒报道，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，

具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。

“通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路径，我们降低了芯片运行温度，提高了运行稳定性，”三星电子首席技术官宋载赫表示：“预计未来它将在高带宽、高密度人工智能环境下，对提升下一代HBM的性能和系统效率发挥关键作用。”

宋载赫声称，HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证。

值得一提的是，作为技术验证的必要环节，此前三星电子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，可使该处理器的散热性能相比上代提升30%，意味着该散热技术拥有进入移动处理器市场的潜力。

而眼下，AI基础设施散热需求正盛，多种热管理技术在存储领域相继涌现。

5月26日，SK海力士推出iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，以降低产品运行时的发热量。该技术同样将应用于HBM5等下一代产品。SK海力士表示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署。”

三星电子和SK海力士，为何纷纷革新HBM散热技术？

机构指出，HBM5架构虽然能够以更高的速度处理更大的数据量，但也会导致内部发热量急剧增加。特别是负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的D2D PHY（芯片间物理层），被认为是芯片内部的主要热源之一。而HPB和iHBM的特点是在 D2D PHY 区域内具有独立的散热路径，从而改善热传导和散热，降低热阻并增强系统稳定性。

在散热技术集体升级的预期下，HBM或仍维持供不应求局面。根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。