我国成功研制出国际上首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管 理论工作频率有望突破1THz|电阻|thz|太赫兹

财联社6月8日电，据中国科学院金属研究所消息，该所孙东明、刘驰团队联合多家科研单位，在高频晶体管领域取得重要突破。团队成功研制出国际上首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管，该器件刷新了垂直二维基区晶体管的截止频率纪录，并创造了晶体管电流增益的世界最高值。相关成果于北京时间6月6日发表于国际学术期刊《自然·通讯》。在射频实测中，该晶体管的本征截止频率达到132GHz，超越了过去所有垂直二维基区晶体管的最高水平。进一步的器件建模与仿真分析表明，通过优化材料掺杂浓度、降低接触电阻及缩减寄生效应，该器件的理论工作频率有望突破1THz，进入太赫兹应用频段。 (科技日报)